Entrevistamos a Adrián de Grazia, Americas Inside Sales Director & Argentina Country Manager de Intel, para que explica de manera impactarán estas nuevas innovaciones en al industria. Además, adelantó lo productos que llegarán a fin de año y en el primer trimestre de 2022 de la mano de esta aceleración en las transiciones de procesos de fabricación, de la mano de Alder Lake y Sapphire Rapids.
Por Leonardo Barbieri
El 27 de julio pasado, en el marco del webcast global Intel Accelerate, la compañía, a través de su CEO, Pat Gelsinger, presentó su hoja de ruta de tecnología de procesos y empaquetado, en donde destacó tecnologías que impulsarán sus productos hacia 2025 y a futuro. Además de anunciar RibbonFET, su primera nueva arquitectura de transistores en más de una década, y PowerVia, nuevo método pionero en la industria en materia de suministro de energía en la parte trasera, destacó su rápida planeación y adopción de la litografía ultravioleta extrema de próxima generación, conocida como EUV de alta apertura numérica (Alta NA). Aseguró que está en posición de recibir la primera herramienta de producción de EUV de Alta NA en la industria.
Para conocer de qué manera estas innovaciones impactará tanto en los equipos de cómputo personal, como en el Data Center y en aplicaciones de terceros, hablamos con Adrián de Grazia, Americas Inside Sales Director & Argentina Country Manager de Intel.
“Es una mejora en los procesos de fabricación que, básicamente, lo que van a generar mejoras en el producto final, en todo sentido, tanto la parte de performance como en rendimiento energético, lo que va a posibilitar productos más chicos o con mayor duración de la batería. Anunciamos una aceleración de esas transiciones de nodos para poder ofrecer productos de mejor rendimiento”, explicó el entrevistado.
“Son 5 transiciones de nodos o de procesos de fabricación que vamos a hacer en 4 años. Lo que estamos haciendo también es un cambio en la forma como los llamamos, vamos a pasar de los famosos nanómetros a Intel 7, Intel 4 e Intel 3, y a futuro el 20A y el 18A, ya entrando en la era del ángstrom, cada vez más chico el proceso, con tecnología ultra violeta (EUV) para hacer la litografía en el silicio”, detalló De Grazia.
“El Intel 20A lo que traer adicionalmente es una mejora en el diseño del transistor; vamos a pasar a un modelo nuevo que se llama RibbonFET para 2024. El objetivo que tiene es mejorar la performnace de ese transistor, es decir que tenga una mejor eficiencia, mayor respuesta, menor pérdida de energía, y eso se traslada en mejoras en la calidad de los productos. PowerVia es otra de las mejoras que se incorpora: en el wafer de un lado va a estar la litografía del procesador, y con y PowerVia del otro lado del silicio se va a hacer toda la parte de interconnect, eso genera que haya menor cantidad de pérdida de energía, para que el procesador aproveche mucho mejor ese nivel de tensión”, adelantó.
Nueva tecnología RibbonFET de Intel.
No hay comentarios:
Publicar un comentario